Ученые из НИТУ «МИСиС» разработали способ создания двумерных (тонкая пленка толщиной в одну молекулу) полупроводников с заданными свойствами, сообщают «Известия». К настоящему моменту успешно проведены эксперименты по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора. Отмечается, что о промышленном внедрении технологии пока речь не идет.
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода, — рассказал представитель исследовательской группы Леонид Чернозатонский. — Предложенный метод позволяет быстро и просто — а значит, дешево — получить материал с контролируемой запрещенной зоной».
Ширина запрещенной зоны — термин из физики твердого тела. Значение этого параметра определяет, относится ли материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам. Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида бора, можно управлять его «проводимостью» и как бы рисовать на пленке нужную микросхему.
Технология может найти применение в фотовольтаике, оптоэлектронике и хранении энергии, а также позволит в перспективе создать нанопроцессор.
В проекте принимают участие ученые из Национального института материаловедения (Япония), Пекинского транспортного университета (КНР) и Технологического университета Квинсленда (Австралия).
Journal information